Alta luz: | laser del semiconductor 830nm,laser del semiconductor de la base de la fibra 105um,Laser del semiconductor de la abertura 0.22NA |
---|
(Pdf de la transferencia directa)
Modelo | CL830-0.5-600mW-SWL002 | |
Parámetro óptico | De potencia de salida continuo (mW) | 600 |
Longitud de onda de centro (nanómetro) | 830±0.5 | |
Anchura espectral (nanómetro) | ≤0.3 | |
Características de la longitud de onda con la temperatura (nm/℃) | 0,02 | |
Características de la longitud de onda con actual (nm/A) | 0,05 | |
Parámetro eléctrico | Umbral (a) actual | 0,35 |
Corriente de funcionamiento (a) | 1,16 | |
Voltaje de funcionamiento (v) | 1,89 | |
Eficacia diferenciada (W/A) | 0,75 | |
Paladio actual (µA) | 100-600 | |
Parámetros del termistor (kΩ/β (25℃)) | 10±5%/3450 | |
(a) actual máximo TÉCNICO | 2,2 | |
Voltaje máximo TÉCNICO (v) | 8,7 | |
Parámetro de fibra óptica | Diámetro de la fibra (µm) | 105 |
Diámetro del revestimiento de la fibra (µm) | 125 | |
Diámetro de la capa de la fibra (µm) | 250 | |
Abertura numérica | 0,22 | |
Conector | SMA905 | |
El otro parámetro | Temperatura de funcionamiento (℃) | 10-30 |
Humedad relativa de funcionamiento (%) | 75 | |
Temperatura de almacenamiento (℃) | -20~70 | |
Humedad relativa del almacenamiento (%) | 90 | |
Pin Soldering Temperature, máximo (℃) | 250 (Sec 10.) |