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laser del semiconductor de la base 830nm de la fibra 105um con la abertura 0.22NA

Informacion basica
Nombre de la marca: CRYLINK
Certificación: ISO9001
Número de modelo: laser estable del semiconductor de la longitud de onda 830nm
Cantidad de orden mínima: 1
Precio: custom
Condiciones de pago: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Información detallada
Alta luz:

laser del semiconductor 830nm

,

laser del semiconductor de la base de la fibra 105um

,

Laser del semiconductor de la abertura 0.22NA


Descripción de producto

laser estable del semiconductor de la longitud de onda 830nm

(Pdf de la transferencia directa)

  • De potencia de salida: 600mW
  • Longitud de onda: longitud de onda de la cerradura 830±0.5nm
  • Diámetro de base de la fibra: µm 105
  • Abertura numérica: 0.22NA
  • Gama de fijación actual: 0.3-1.4A
  • Temperatura que cierra la gama: 15-35℃
Modelo   CL830-0.5-600mW-SWL002
Parámetro óptico De potencia de salida continuo (mW) 600
Longitud de onda de centro (nanómetro) 830±0.5
Anchura espectral (nanómetro) ≤0.3
Características de la longitud de onda con la temperatura (nm/℃) 0,02
Características de la longitud de onda con actual (nm/A) 0,05
Parámetro eléctrico Umbral (a) actual 0,35
Corriente de funcionamiento (a) 1,16
Voltaje de funcionamiento (v) 1,89
Eficacia diferenciada (W/A) 0,75
Paladio actual (µA) 100-600
Parámetros del termistor (kΩ/β (25℃)) 10±5%/3450
(a) actual máximo TÉCNICO 2,2
Voltaje máximo TÉCNICO (v) 8,7
Parámetro de fibra óptica Diámetro de la fibra (µm) 105
Diámetro del revestimiento de la fibra (µm) 125
Diámetro de la capa de la fibra (µm) 250
Abertura numérica 0,22
Conector SMA905
El otro parámetro Temperatura de funcionamiento (℃) 10-30
Humedad relativa de funcionamiento (%) 75
Temperatura de almacenamiento (℃) -20~70
Humedad relativa del almacenamiento (%) 90
Pin Soldering Temperature, máximo (℃) 250 (Sec 10.)

Contacto
june

Número de teléfono : +8618699681379